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Charge-based mos transistor.
Section conseillée de ce produit : relié. La publication de série affichée est 9780470855416. Produit indiqué Wiley-Blackwell (an imprint of John Wiley & Sons Ltd). Le titre complet : chargebased mos transistor modeling: the ekv model for lowpower and rf ic design.
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Matching properties of deep.
Rubrique constatée en format kindle. Produit typé Springer. Le titre du produit : matching properties of deep submicron mos transistors.
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Contribution à la modélisation.
Exploitation constatée de ce produit : broché. Le nombre de série est 9783841783134. Article indiqué Editions universitaires europeennes. Le nom intégral est : contribution à la modélisation électrothermique: elaboration d'un modèle électrique thermosensible du transistor mos de puissance.
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Analog applications of floating-gate.
Gamme conseillée du produit : broché. L'indicatif série ean affichée est 9783838369914. Cet article est indiqué LAP Lambert Academic Publishing AG & Co KG. Le titre complet est analog applications of floatinggate mos transistor: floatinggate mos transistor analog applications in current mirrors and current conveyors.
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Nanoscale mos transistors:.
Exploitation globale de ce produit : relié. La valeur ean notée est 9780521516846. Information supplémentaire Cambridge University Press. Le nom du produit : nanoscale mos transistors: semiclassical transport and applications.
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Fundamentals of nanoscaled.
Exploitation traditionnelle : format kindle. Article marqué Springer. Le nom intégral est fundamentals of nanoscaled field effect transistors.
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Operation and modeling of.
Exploitation générale du produit : relié. La publication EAN est 9780199829835. Cet article est typé OUP USA. L'intitulé intégral est : operation and modeling of the mos transistor, third edtion international edition.
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Travaux sur le transistor.
Classification générale du produit : broché. La publication de série notée est 9786131501739. Autres Editions universitaires europeennes. Le nom intégral : travaux sur le transistor à ionisation par impact imos: Étude, réalisation et caractérisation sur substrat silicium et germanium sur isolant soi, geoi.
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Matching properties of deep.
Catégorisation générale : broché. La valeur série ean affichée est 9781441937186. Cet article est typé Springer-Verlag New York Inc.. Le nom de l'article : matching properties of deep submicron mos transistors.
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Simulation of nano mos transistor:.
Classification recommandée de ce produit : broché. Le numéro de série notée est 9783659256202. Ce produit est indiqué LAP Lambert Academic Publishing AG & Co KG. Le titre global est : simulation of nano mos transistor: simulation of 22nm nmos transistor.
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